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浙江大学学报（理学版）
浙江大学学报（理学版）  2012, Vol. 39 Issue (05): 531-    
电子科学     
MCML/TG混合结构与三值T门和三值Dlatch电路设计
 全文: PDF(959 KB)   HTML ( ) 
摘要： 在深入分析MCML和TG的电路特点后，提出将2种结构结合起来进行数字电路设计的思路.该混合结构主要由MCML和TG共同构成，MCML结构产生控制信号，TG进行信号的传输.并以三值T门和三值D锁存器电路为例，验证了这种设计思路的可行性.通过Hspice软件，采用TSMC 0.18 μm CMOS工艺，供电电压1.8 V，对所设计的电路进行仿真，分析结果表明：电路逻辑功能正确；输入输出高低电平一致，具有较好的电压兼容性；功耗保持MCML结构的优势，基本与频率无关；与传统的CMOS电路相比，取得了较大的延迟优化.
收稿日期: 2011-04-30 出版日期: 2012-09-20
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章专
连明超

引用本文:

章专, 连明超. MCML/TG混合结构与三值T门和三值Dlatch电路设计[J]. 浙江大学学报（理学版）, 2012, 39(05): 531-.

链接本文:

https://www.zjujournals.com/sci/CN/Y2012/V39/I05/531

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