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浙江大学学报（理学版）
浙江大学学报（理学版）  2013, Vol. 40 Issue (6): 641-645    
电子科学     
基于MOS-NDR负阻器件的D触发器设计
D flip-flop design based on MOS-NDR negative resistance device
 全文: PDF(581 KB)   HTML ( ) 
摘要： 负阻器件由于在电流电压特性曲线中表现出独特的负微分电阻特性,从而大大增加了单个器件所能实现的逻辑功能.如果将其用于数字逻辑电路设计,尤其是触发器的设计,可有效减少器件的数目.通过分析CMOS工艺负阻器件MOS-NDR及单双稳态转换逻辑单元MOBILE的工作特性,设计了一个时钟上升沿触发的D触发器.采用TSMC 0.18 μm工艺对所设计的电路进行HSPICE仿真,仿真结果表明所设计的电路具有正确的逻辑功能.与基于MOS-NDR负阻器件的同类触发器相比,新设计的D触发器具有更稳健的输出和较强的抗干扰能力
收稿日期: 2012-07-02 出版日期: 2013-11-22
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向光平
沈继忠

引用本文:

向光平, 沈继忠. 基于MOS-NDR负阻器件的D触发器设计[J]. 浙江大学学报（理学版）, 2013, 40(6): 641-645.

XIANG Guang-Ping, SHEN Ji-Zhong. D flip-flop design based on MOS-NDR negative resistance device. Journal of ZheJIang University(Science Edition), 2013, 40(6): 641-645.

链接本文:

https://www.zjujournals.com/sci/CN/    或    https://www.zjujournals.com/sci/CN/Y2013/V40/I6/641

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